

HORIBA Scientific提供两类配合扫描光谱仪使用的单通道探测器――光电倍增管(PMT)探测器和固态探测器。对于光谱仪的多通道应用,我们也提供一系列CCD探测器。此外,我们还提供锁相控制器。
光电倍增管(PMT)探测器一般要比固态探测器的灵敏度高得多,在紫外/可见及近红外范围内效率高。然而,它的光谱范围一般被限制,到950nm左右截止,此外PMT还需要高压电源供电。
HORIBA Jobin Yvon提供的PMT探测器为空冷或者水冷、正入射或者侧入射的高品质光电倍增管。
型号 | PMT类型,冷却方式 | 光谱范围 | 备注 |
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1911 (F 或 G) | R928 多碱光阴极PMT,风冷,侧窗口 | 190-860 nm | 需要200-1200V高压电源 |
1912 (F 或 G) | S1 R406 PMT,水冷或TE制冷,侧窗口 | 400-1100 nm | 需要高压电源,电压最高可到1500V。虽然光子计数器能近似实现,建议使用电流输入。还包括1630C棱镜接口 |
1913 (F 或 G) | R943-02 砷化镓PMT,水冷或TE制冷,顶端窗口 | 200-930 nm | 建议采用光子计数。需要1500V高压电源,电压最高可达1800V。还包括1630C棱镜接口. |
1914 (F 或 G) | 多碱光阴极PMT,水冷或TE制冷,侧窗口 | 190-860 nm | 需要高压电源,电压最高可达1500V。采用电流输入或光子计数器。还包括1630C棱镜接口. |
固态探测器是把入射光转化为电信号的光电器件。在略低于200nm到20um以上的工作波长范围内,固态探测器具有高灵敏度、高可靠性、经济实用以及高效率的优点。
HORIBA Jobin Yvon 提供大量种类齐全的固态探测器以满足任何应用需求。根据您的灵敏度要求有空冷、半导体制冷以及液氮制冷几种不同的制冷方式。
固态探测器可以分为三个不同类别:光电发射式、光电导式和双色固态探测器。
光电发射式探测器是快速、高灵敏度的探测器,一般它不需要锁相放大器和斩波器,除非是微弱光信号应用的情况推荐使用斩波器和锁相。它的光谱范围上限约为5µm.
光电导式探测器工作速度相对较慢、灵敏度也相对较低,但是光谱范围可达12µm甚至以上。光电导式固态探测器必须使用锁相放大器和斩波器。
双色固态探测器是结构上类似三明治的探测器,通常一个硅探测器在前,第二个探测器在后。硅探测器工作范围达1.1µm,波长更长的范围内硅探测器变得透明,第二个探测器则开始工作。在这个波长范围内,硅探测器效率下降约40%,第二个探测器效率保持不变。包含PbS 或PbSe的双色探测器必须使用锁相放大器和斩波器,对于其他固态探测器则推荐使用。
为得到固态探测器最大的灵敏度,我们提供适用于所有固态探测器的红外特殊封装。该封装包括一面6:1压缩光斑大小、光路90度垂直的椭圆反射镜。该反射镜可使得各个波长的能量均会聚于探测器上.
型号 | 冷却方式 | 光谱范围 | NEP | 备注 |
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硅(Si) | 无冷却 | 0.2 - 1.1 微米 | - | 无放大,大感光面积10x10mm。NEP由模拟输入决定 |
硅(Si) | 无冷却 | 0.3 - 1.1 微米 | 2 x 10-14 | 前置放大,要求±15V 供电 |
锗(Ge) | 无冷却 | 0.8 - 1.8 微米 | 7 x 10-13 | 前置放大,要求±15V 供电 |
锗(Ge) | TE制冷 | 0.8 - 1.75 微米 | 5 x 10-14 | 前置放大,要求±15V 供电 |
铟镓砷 | 无冷却 | 0.8 - 1.7 微米 | 6 x 10-14 | 前置放大,要求±15V 供电 |
铟镓砷 | TE制冷 | 0.8 - 1.65 微米 | 1 x 10-14 | 前置放大,要求±15V 供电 |
铟镓砷 | 液氮冷却 | 0.8 - 1.6 微米 | 1 x 10-15 | 前置放大,要求±15V 供电 |
砷化铟 | 无冷却 | 1 - 3.6 微米 | 2 x 10-10 | 前置放大,要求±15V 供电 |
砷化铟 | TE制冷 | 1 - 3.55 微米 | 1 x 10-11 | 前置放大,要求 +/-15V 供电 |
锑化铟 | 液氮冷却 | 2 - 5.5 微米 | 1 x 10-12 | 前置放大,要求±15V 供电 |
型号 | 冷却方式 | 光谱范围 | NEP | 备注 |
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硫化铅(PbS) | 无冷却 | 1 - 3 微米 | 2 x 10-12 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz |
硫化铅(PbS) | TE制冷 | 1 - 3 微米 | 1 x 10-12 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度在 100-500Hz |
硒化铅(PbSe) | 无冷却 | 1 - 5 微米 | 5 x 10-11 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度1KHz |
硒化铅(PbSe) | TE制冷 | 1 - 5 微米 | 2 x 10-11 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz |
碲镉汞 (HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 5 微米* | 1 x 10-11 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 1KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | TE制冷 | 1 - 10 微米* | 1 x 10-8 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 10KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | 液氮冷却 | 1 - 14 微米* | 6 x 10-12 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 14KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
碲镉汞(HgCdTe) | 液氮冷却 | 1 - 20 微米* | 2 x 10-11 | 前置放大,要求+/-15V 供电,斩波速度 2KHz - 20KHz. *波长响应随工作光谱范围变化. |
型号 | 冷却方式 | 光谱范围 | 备注 |
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硅/铟镓砷 | 无冷却 | 0.3 - 1.7 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/铟镓砷 | TE制冷 | 0.3 - 1.65 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/锗 | TE制冷 | 0.3 - 1.75 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/硫化铅 | TE制冷 | 0.3 - 3 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/硒化铅 | TE制冷 | 0.3 - 5 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/砷化铟 | 无冷却 | 0.3 - 3.6 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |
硅/砷化铟 | TE制冷 | 0.3 - 3.55 µm | 前置放大. 需要+/-15V 供电 |